少子壽命儀
特點
1. 非接觸,無損的半導(dǎo)體電子特性表征
2. 作為單點測量的臺式儀器或作為硅片生產(chǎn)線上的高速測量部件
3.  可用于單個硅片的研發(fā)測量
4.  測量時間少于么個硅片1特點
5.  測量少子壽命,光電導(dǎo)率,電阻率(可選)
6.  高靈敏度,可視化微小損傷
樣品
可測樣品  未加工多晶硅片,任意尺寸硅片,晶圓片,硅錠,電池片
樣品尺寸  任意尺寸,不小于10 x 10
電阻率    0.1-  Ohm cm
電導(dǎo)類型 P,N
可測材料 硅片,外延層,部分或完全處理的晶圓,化合物半導(dǎo)體
可測參數(shù) 少子壽命(穩(wěn)定態(tài)或非平衡態(tài)(μ-PCD)可選)
光電導(dǎo)率(穩(wěn)態(tài))->擴散長度
壽命范圍  0.1μs-100ms
激發(fā)功率  缺省值雙激光,980nm缺省值
測量點    缺省直徑0.5mm
測量時間  小于1秒
儀器尺寸 300x240x240mm